Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - BDX66C-SML
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 6.99fr | 7.56fr |
| 2 - 2 | 6.64fr | 7.18fr |
| 3 - 4 | 6.29fr | 6.80fr |
| 5 - 9 | 5.94fr | 6.42fr |
| 10 - 19 | 5.80fr | 6.27fr |
| 20 - 29 | 5.66fr | 6.12fr |
| 30+ | 5.45fr | 5.89fr |
| Quantité | U.P | |
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| 1 - 1 | 6.99fr | 7.56fr |
| 2 - 2 | 6.64fr | 7.18fr |
| 3 - 4 | 6.29fr | 6.80fr |
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| 20 - 29 | 5.66fr | 6.12fr |
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Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - BDX66C-SML. Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.
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Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11015G. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016
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