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Transistor PNP, 0.15A, 60V - KSA733-Y

Transistor PNP, 0.15A, 60V - KSA733-Y
Quantité HT TTC
1 - 9 0.39fr 0.42fr
10 - 24 0.37fr 0.40fr
25 - 49 0.36fr 0.39fr
50 - 99 0.34fr 0.37fr
100 - 249 0.33fr 0.36fr
250 - 499 0.32fr 0.35fr
500+ 0.30fr 0.32fr
Quantité U.P
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Transistor PNP, 0.15A, 60V - KSA733-Y. Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 08:25.

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Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Lot de 10
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(0.56fr HT)
0.61fr
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2SA733

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Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
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Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
Lot de 10
1.39fr TTC
(1.29fr HT)
1.39fr

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