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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G
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1 - 1 5.66fr 6.12fr
2 - 2 5.37fr 5.80fr
3 - 4 5.20fr 5.62fr
5 - 9 5.09fr 5.50fr
10 - 19 4.98fr 5.38fr
20 - 29 4.81fr 5.20fr
30 - 74 4.64fr 5.02fr
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1 - 1 5.66fr 6.12fr
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Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G. Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 4.5pF. C (out): 10pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0281. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.

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Quantité en stock : 83
MJL1302A

MJL1302A

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 (...
MJL1302A
Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Diode BE: non. C (out): 1.7pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJL1302A
Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Diode BE: non. C (out): 1.7pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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7.98fr TTC
(7.38fr HT)
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NJW1302

NJW1302

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-...
NJW1302
Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
NJW1302
Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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(6.81fr HT)
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2SC5359

2SC5359

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîti...
2SC5359
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
2SC5359
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
8.96fr TTC
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8.96fr
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MJL3281A

MJL3281A

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 (...
MJL3281A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJL3281A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
Lot de 1
11.02fr TTC
(10.19fr HT)
11.02fr
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NJW3281

NJW3281

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-...
NJW3281
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
NJW3281
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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2SA1302
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Z0103MN
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