Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 28.40fr | 30.70fr |
2 - 2 | 26.98fr | 29.17fr |
3 - 4 | 25.56fr | 27.63fr |
5 - 9 | 24.14fr | 26.10fr |
10 - 14 | 23.57fr | 25.48fr |
15 - 19 | 23.00fr | 24.86fr |
20 - 30 | 22.15fr | 23.94fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 28.40fr | 30.70fr |
2 - 2 | 26.98fr | 29.17fr |
3 - 4 | 25.56fr | 27.63fr |
5 - 9 | 24.14fr | 26.10fr |
10 - 14 | 23.57fr | 25.48fr |
15 - 19 | 23.00fr | 24.86fr |
20 - 30 | 22.15fr | 23.94fr |
Transistor SP0010-91630. Transistor. C (in): 8180pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Increased MOSFET dv/dt ruggedness'. Id(imp): 267A. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 77.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 6R041P6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 481W. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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