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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor STP11NB40FP

Transistor STP11NB40FP
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Transistor STP11NB40FP. Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 210pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 42.8A. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2000VDC. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Remarque: Viso 2500V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1
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Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 178pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
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