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Transistor STP55NE06

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Transistor STP55NE06. Transistor. C (in): 3050pF. C (out): 380pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NE06. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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