Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: SMPS. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 120W. Boîtier: TO-220

Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 120pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 4A. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 4A. C (out): 15W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE253. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 15W. Fréquence maxi: 40 MHz. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Courant de collecteur: 0.5A. Equivalences: KSE340. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.5A. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE350. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Puissance: 20.8W. Boîtier: TO-126. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.5A. Equivalences: KSE350. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.5A. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Marquage du fabricant: MJE350G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 10MHz. Boîtier: TO-126. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Résistance BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 2us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 100W. Boîtier: TO-220

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 450V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE5852G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C