Transistors

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 1A. Puissance: 1W. Boîtier: TO-92

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 50V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 0.75W. Fréquence maxi: 90MHz. Boîtier: TO-92

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7150pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4456pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 56 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 745pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 562pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 18A. Ic(puls): 35A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Tf(max): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vbe(sat)1.5V. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Marquage sur le boîtier: H21. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS H21

Transistor. Marquage sur le boîtier: H9C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS H9C

Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 0.2W. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 0.2W. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 6D. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: INFI->PANAS. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 1.6mm. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB10N07. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB14N04. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C