Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 130. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: A1123. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planer type'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: A1141. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 8W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 50mA. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: A1145 O. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2705. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: VCE(sat) 2V max. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2706

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Courant de collecteur: 0.07A. Ic(puls): 0.14A. Remarque: hauteur 9mm. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--MP. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2910

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 140mA. Marquage sur le boîtier: A1209. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2911. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. C (out): 40pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 2A. Marquage sur le boîtier: NY. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): 2-5K1A. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie / code CMS NY. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D3/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI, NF-E. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3182. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Fonction: Audio HIFI. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Courant de collecteur: 17A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3264. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3280

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3281

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Courant de collecteur: 14A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3284. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3298. Diode BE: non. Diode CE: non