Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Fonction: Applications d'amplification et de commutation. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 90V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6488G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.075W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 90V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -350V. C (in): 100pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6517. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-46. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6550. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Poids: 0.18g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): O-92Ammo-Pack. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Poids: 0.18g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET à petits signaux. Id(imp): 0.8A. Id (T=100°C): 0.075A. Id (T=25°C): 0.115A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 702. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K72. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.37W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 22pF. C (out): 11pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. Id (T=100°C): 0.14A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K72. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: contrôle moteur, gestion de l'alimentation. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 72. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 580pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Fonction: Pilote d'écran plasma. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Fonction: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 540V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2562

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: A1013-Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92, 2-5F1B. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1162. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: RM-60. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2581

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 17A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 200V

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SA1120. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 170 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP