Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar NPN transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 7V

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Date de production: 2014/06. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 7V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 117W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 117W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 175V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF-S. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3772. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200kHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3773G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: amplificateur VHF/RF. Id (T=25°C): 20mA. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Epitaxial. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3820. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): JFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V

Transistor. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Boîtier: TO-92. Marquage du fabricant: 2N3904. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 300MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3906. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150...500 MHz. Fonction: S. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39 ( TO-5 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 6.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: -50mA. Fréquence maxi: 40 MHz. Boîtier: TO-92. Applications: Audio

Transistor. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 50mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 3V. Fonction: pré-amplificateur. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 0.4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 3V. Diode BE: non. Diode CE: non