Transistors

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Tension collecteur-émetteur VCEO: -230V. Courant de collecteur: -15A. Fréquence maxi: 30 MHz

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Fonction: NF-HI-FI. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5242. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5359

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Courant de collecteur: 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5707

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5707

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 25A. Marquage sur le boîtier: A2210. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3SG. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: pilotes de relais, pilotes de lampes, pilotes de moteurs. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC6082. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.05W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.4A. Remarque: hFE 70...140. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: 2SA562-O

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.4A. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: KTA562-Y

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.15A. Id(imp): 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 160 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Courant de collecteur: 2.5A. Remarque: Silicon PNP Epitaxial. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Spec info: transistor complémentaire (paire)

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W