Transistors

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: BA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 39pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: NF/SL. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 50pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-E-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: High-Current switching, low-sat. Courant de collecteur: 8A. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1804. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 320 MHz. Fonction: Commutation stroboscopique à haute intensité. Courant de collecteur: 5A. Remarque: hFE 140...280. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 3A. Remarque: =4000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: TU2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 2A. Remarque: hFE 180...390. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 4.5A. Marquage sur le boîtier: B1243 (RN). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Courant de collecteur: 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 3A. Remarque: >2000. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 6A. Remarque: =10000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1933

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390

Transistor. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2401

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2438. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2439. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( SOT-93 ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 6A. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2495

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Fonction: amplificateur de puissance et régulateur audio HI-FI. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2560

Transistor. C (out): 100pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Diode BE: non. Diode CE: non