Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170_D27Z. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 24pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MX. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 60pF. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500nA. Idss (min): -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 45V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Courant de collecteur: 30A. Dimensions: 107.5x45x17mm. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 24. Spec info: 7x IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Remarque: 5ns...20ns. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Technologie: D-MOS Log.L. Tension Vds(max): 50V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSN20. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: nem. Boîtier: SOT23

Transistor. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP125. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP135. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 146pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP171P. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 276 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP250.115. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 80 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP295. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP297. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP316. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Equivalences: ISP452. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AS3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Résistance BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BSP50. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP62. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP89. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP92P. Tension drain-source Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 101 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 104pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 0.8A. Marquage sur le boîtier: U8. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 60 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tr: 25 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS U8. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 50...300. Courant de collecteur: 0.8A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: sérigraphie/code CMS T8. Diode BE: non. Diode CE: non