Transistors

Transistor. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 1000 ns. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSS110. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.63W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 600mA. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 'SAs'. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SHS. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SRs. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 77pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. Marquage sur le boîtier: SS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. Marquage sur le boîtier: SS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: oui. Poids: 0.008g. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SS. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 27pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J1. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: STs. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: nem. Boîtier: SOT23. Puissance: 360mW. Montage/installation: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Polarité: unipolaire. Tension drain - source: -60V. Courant de drain: -330mA. Résistance dans l'état passant: 2 Ohms

Transistor. C (in): 25pF. C (out): 15pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. Id (T=100°C): 75mA. Id (T=25°C): 130mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 11W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'Enhancement mode vertical D-MOS transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: sérigraphie/code CMS 11W. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 13. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: KNP. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET en mode d'amélioration de paire complémentaire. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS KNP. Fonction: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VS. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: Dissipation de puissance maxi. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF

Transistor. C (in): 80pF. C (out): 15pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 1A. Id (T=25°C): 0.25A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: SS88. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 240V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.01uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SOT54. Tension Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Very fast switching, Logic level compatible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation très rapide. Id(imp): 0.8A. Id (T=100°C): 0.12A. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.01uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Protection G-S: non