Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 250mA. Marquage sur le boîtier: B2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Spec info: sérigraphie/code CMS B2

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: TO39

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 7A. Puissance: 50W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Commande: niveau logique. Tension drain - source (Vds): 60V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS132. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Famille de composants: low-side MOSFET. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Famille de composants: low-side MOSFET. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-263/5. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Marquage du fabricant: BTS410E2. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 125us. Délai de coupure tf[nsec.]: 85us. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS4141N. Tension drain-source Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100us. Délai de coupure tf[nsec.]: 150us. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Marquage du fabricant: BTS432E2. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220/5. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 5. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS432E2-SMD. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200us. Délai de coupure tf[nsec.]: 250us. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: S50010E. Tension drain-source Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-12. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 12. Marquage du fabricant: BTS5210L. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-12. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 12. Marquage du fabricant: BTS5215L. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS611L1. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS6142D. Tension drain-source Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600us. Délai de coupure tf[nsec.]: 600us. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-20. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS721L1. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Sortie: 2db N-MOS 43V 5.5A. Nombre de connexions: 20. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): PG-DSO20. VCC: 5...34V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 13.5V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 330V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V