Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D45H11G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D45H8G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -15A. Puissance: 83W. Fréquence maxi: 50 MHz. Boîtier: TO–220AB

Transistor. RoHS: oui. Famille d'appareils: Outil. Type d'outil: assortiment de 24 outils

Transistor. C (in): 37pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 600A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Dimensions: 172x89x37mm. Dissipation de puissance maxi: 3350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Nombre de connexions: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: C3025LS. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1802pF. C (out): 415pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3020LS. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.0116 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Divers: Vitesse de commutation rapide, faible fuite d'entrée/sortie. Fonction: faible résistance à l'état passant, faible tension de seuil de grille, faible capacité d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 14. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 14

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor numérique (résistance de polarisation intégrée). Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 14. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 14

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistors numériques (résistances intégrées). Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: 15. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 15. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Boîtier (selon fiche technique): SC-72 ( D143 ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: DTR.. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 24. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.2W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 24. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 4.7k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Date de production: 2014/49. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V

Transistor. Résistance B: 47k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.03A. Marquage sur le boîtier: 26. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 26. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Courant de collecteur: 0.1A. Puissance: 0.3W. Fréquence maxi: 250MHz. Boîtier: SC-72. Résistance BE: 47k+22k Ohms

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 1850pF. C (out): 850pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20N20. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10N20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Module transistor NPN Darlington de puissance. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: Vissé. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 225W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Type de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: ISOTOP. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: ESM6045DV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 84A. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non