Transistors

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 36W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220F. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Tension drain - source (Vds): 650V

Transistor. C (in): 1495pF. C (out): 235pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 490 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDA16N50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 205W. Résistance passante Rds On: 0.31 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2280pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FDA24N40F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDA50N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 220 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 460 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3090pF. C (out): 630pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 392W. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3570pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. Id (T=100°C): 44.2A. Id (T=25°C): 69A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 480W. Résistance passante Rds On: 0.034 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.0087 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. Marquage sur le boîtier: 365 P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SUPERSOT-6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Tension drain-source Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23/6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: .638. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 420. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Fonction: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Remarque: sérigraphie/code CMS 420

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 642. Marquage sur le boîtier: 642. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: faible charge d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 630pF. C (out): 160pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 250uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FDC642P. Marquage sur le boîtier: FDC642P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Résistance passante Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2085pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High performance trench technology'. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 58A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD4141. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 69W. Résistance passante Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDD5690. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1715pF. C (out): 440pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 59A. Marquage sur le boîtier: FDD6635. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5070pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 8.2M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1715pF. C (out): 440pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 1uA. Remarque: High performance trench technology. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 15.2A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDD8447L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 44W. Résistance passante Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 880pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non