Transistors

Transistor. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

Transistor. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS9435A. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15 ns. Id (T=100°C): 5.4A. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.030 Ohms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.075 Ohms

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 301. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 303. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 63pF. C (out): 34pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 1.5A. Id (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. Id (T=25°C): 0.46A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 304. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 47ms. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 2. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: FGH40N60SFD. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1880pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 70 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Dissipation de puissance maxi: 349W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SF. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SMD. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGL40N120AND. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810D. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J6812. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6812. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui