Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 17A. Marquage sur le boîtier: J4315O. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 20A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Moniteur 19 pouces. Spec info: VEBO 6V

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 300mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 619. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 190 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 480. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) FMMT619. Spec info: sérigraphie/code CMS 720

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Y4. Marquage sur le boîtier: Y4. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SMT5. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 5000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Nombre de connexions: 7. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 5000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Spec info: Transistor + diode block. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 1.45pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 39A. Ic(puls): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensions: 56.7x48x12mm. Dissipation de puissance maxi: 175W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: Module hybride IGBT. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Nombre de connexions: 33dB. Remarque: 7x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Dissipation de puissance maxi: 240W. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 9.5A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 218W. Résistance passante Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 43nC). Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA13N80. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 18.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 290W. Résistance passante Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non