Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 400V. Remarque: <57/115ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ76A. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: <50/105ns. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.1A. Idss (maxi): 2.1A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Tension Vds(max): 800V. Remarque: <100/220ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 3.2A. Dissipation de puissance maxi: 78W. Tension Vds(max): 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 734pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Nombre de connexions: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) BUZ901. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Technologie: TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 4MHz. Boîtier: TO-220AB (MJE13007)

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v

Transistor. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Type de canal: N. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Courant de collecteur: 200A. Ic(puls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Dimensions: 108x62x31mm. Dissipation de puissance maxi: 1500W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Nombre de connexions: 7. Spec info: commutation haute puissance. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) CSD1133

Transistor. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 130pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H11G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 90 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45VH10. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Equivalences: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: paire D44H11. Diode BE: non. Diode CE: non