Transistors

Transistor. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: FET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR9014PBF. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 5.6A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9024N. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9024N. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR9024PBF. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 5.6A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9120N. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 340pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK ( TO-252AA ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR9220PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Fonction: Faible charge de grille (22nC typique), Low Crss

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5.8A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 178pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: I-PAK. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU024NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 100V

Transistor. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU420PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU4620PBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 144W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C