Transistors

Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 3A. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 2.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 200mA. Marquage sur le boîtier: C1507 O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 200mA. Marquage sur le boîtier: C1507 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: C1845. Equivalences: 2SC1845. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA992. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 50pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 50pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C2310 O. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: 0501-000367. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Spec info: hauteur 9mm. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 60pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 120...240. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. C (out): 60pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: KSC5027 (O). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 60pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 10. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Dyn Focus. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 10. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 8A. Remarque: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA (F). Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 90pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA (F). Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA (F). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5803. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Courant de collecteur: 0.03A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Courant de collecteur: 0.03A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Courant de collecteur: 0.05A. Remarque: hFE 350...700. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394