Transistors

Transistor. C (in): 12pF. C (out): 2210pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 890W. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4000pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 92 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 480W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 160pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Idss (min): 100mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 0.7V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: Up 10V. Idss (min): 20mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 30 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: Up 4.5V. Idss (maxi): 5mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 Ammo-Pak. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Résistance passante Rds On: 100 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Fonction: P-Channel Switch. Idss (maxi): 100mA. Idss (min): 20mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Résistance passante Rds On: 85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: P-Channel Switch. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J175. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 25mA. Idss (min): 2mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Résistance passante Rds On: 250 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: P-Channel Switch. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: VGS(off) 1V...4V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 35...125. Courant de collecteur: 500mA. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-5. Boîtier (selon fiche technique): TO-5. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Courant de collecteur: 0.15A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Courant de collecteur: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: hauteur 9mm. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Diode BE: non. Diode CE: non