Transistors

Transistor. Brochage: 1. C (in): 1.5pF. C (out): 11pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 150mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Brochage: 1. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 150mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 3A. Marquage sur le boîtier: D2012-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSB1366. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Transistor. C (out): 180pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: 'High Voltage Switch Mode'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 4A. Remarque: b>750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001

Transistor. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 600mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 0.6A. Remarque: brochage E, C, B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V

Transistor. C (out): 6pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 500mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Courant de collecteur: 100mA. Marquage sur le boîtier: R1002. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Résistance B: 22k Ohms. Résistance BE: 22k Ohms. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: SW. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: R1003. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Courant de collecteur: 100mA. Marquage sur le boîtier: R1007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. C (out): 3.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V

Transistor. C (out): 50pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar PNP Transistor'. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 10A. Marquage sur le boîtier: B778. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non