Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: NPN. Spec info: remplaçant

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN. Spec info: remplaçant

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD1279. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 600V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M37/J, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: 2.32k Ohms. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar'. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M46/J, 6A, 600V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M46/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): NPN. Plage de température de fonctionnement max (°C): 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN. Plage de température de fonctionnement min (°C): 600V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M37/J, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Spec info: isolé