Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 6. RoHS: oui. Spec info: Transistor + diode block. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 3W. Spec info: tension de saturation très faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: TO-92. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: boîtier NON isolé. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor PNP, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Remarque: brochage E, C, B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 0504-000142. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47. Diode BE: non. Résistance BE: 47. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 12159-301-810. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10. Diode BE: non. Résistance BE: 10. C (out): 3.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1.5A, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar PNP Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 280pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Marquage sur le boîtier: B778. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11015G. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V