Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 120pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 15W. Fréquence maxi: 40 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243

Transistor PNP, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE350. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340

Transistor PNP, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (in): 7pF. C (out): 110pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Equivalences: KSE350. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Marquage du fabricant: MJE350G. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 10MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 8A, 400V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE5852G. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, -80V, -4A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 1MHz. Gain hFE min.: 750

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21194. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Fonction: puissance audio, faible distorsion harmonique. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL4281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Date de production: 201446. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW3281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Date de production: 2015/04. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21196. Diode BE: non. Diode CE: non

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 200MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Gain hfe: 50...300. Puissance: 0.25W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Marquage sur le boîtier: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 40V, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2T. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Marquage sur le boîtier: 2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2GM. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP