Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: TV-NF-L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4381. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 60pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Transistor PNP haute tension pour applications audio et à usage général.. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4382. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 50. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4466. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V

Transistor PNP, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 36pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF, lo-sat. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: AG*. Equivalences: LG 0TRRH80034A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4672. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4793. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: TV, SL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5171. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. C (out): 320pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: A1941. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5198. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 360pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: A1943 (O). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, -230V, -15A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -230V. Courant de collecteur: -15A. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Fréquence maxi: 30 MHz

Transistor PNP, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: NF-HI-FI. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5242. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 15A, 230V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5359. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5707. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Ic(puls): 11A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5707. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3SG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: pilotes de relais, pilotes de lampes, pilotes de moteurs. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): 25A. Marquage sur le boîtier: A2210. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC6082. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-1, 20V, 10mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.05W

Transistor PNP, 0.4A, 40V. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 35V/30V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 70...140. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Spec info: 2SA562-O. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Spec info: KTA562-Y. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 60V/40V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 160. Id(imp): 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/25V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor PNP, 0.5A, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 65V/60V, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W