Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 95pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1804. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V

Transistor PNP, 5A, 25V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 320 MHz. Fonction: Commutation stroboscopique à haute intensité. Remarque: hFE 140...280. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, 110V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: =4000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: TU2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V

Transistor PNP, 2A, 40V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 180...390. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: 2SB1240R. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 4.5A. Marquage sur le boîtier: B1243 (RN). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, 100V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: >2000. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: =10000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1933. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, 150V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2401. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2438. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2439. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, 110V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2495. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: amplificateur de puissance et régulateur audio HI-FI. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2560. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Diode BE: non. C (out): 100pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.15A, 25V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. Remarque: >30. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 35V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, 1.5A, 35V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP