Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390

Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394

Transistor PNP, 12A, 150V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2401

Transistor PNP, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2438

Transistor PNP, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2439

Transistor PNP, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, 110V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2495

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Fonction: amplificateur de puissance et régulateur audio HI-FI. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2560

Transistor PNP, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 100pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-1, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.125W

Transistor PNP, 0.15A, 25V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. Remarque: >30. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 35V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, 1.5A, 35V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 50V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M17/J, 90V/80V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V/80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M17/J, 40V/20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20V/15V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 25V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD468

Transistor PNP, 0.1A, SC-71, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 30V/25V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 27pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD669A. Diode BE: non. Diode CE: non