Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 125W. Technologie: V-MOS S/L. Remarque: 250/500ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 34A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ22. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.6A, 2.6A, 1000V. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Tension Vds(max): 1000V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 78W. Technologie: V-MOS L. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Tension Vds(max): 400V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS. Remarque: <57/115ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 400V, 2.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ76A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: <50/105ns. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.1A. Idss (maxi): 2.1A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS (F). Remarque: <100/220ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 3.2A, 3.2A, 800V. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 3.2A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Dissipation de puissance maxi: 78W. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 75W. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 35W. Technologie: TO-220F. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 200A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Type de canal: N. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Courant de collecteur: 200A. Ic(puls): 400A. Dimensions: 108x62x31mm. Dissipation de puissance maxi: 1500W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Nombre de connexions: 7. Spec info: commutation haute puissance. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 600A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 37pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 600A. Ic(puls): 1200A. Dimensions: 172x89x37mm. Dissipation de puissance maxi: 3350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Nombre de connexions: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: C3025LS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non