Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protection G-S: non

Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4650pF. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 37A. Ic(puls): 100A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Dissipation de puissance maxi: 104W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: G30N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Marquage sur le boîtier: 40N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Type de canal: N. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Dissipation de puissance maxi: 285W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Dissipation de puissance maxi: 285W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 850pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 58 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 76121D. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, Autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 15A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, Autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 20A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 140A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Délai de livraison: KB. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1165pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: H15R1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 254W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.48V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non