Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 55V, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: TO220AB. Série: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 49A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 94W. Type de montage: THT

Transistor canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 17.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 94W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZ44NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 94W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 107W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 55V, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: TO220AB. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Série: IRFZ. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 53A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5m Ohms / 28A / 10V. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFZ46NPBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 107W. Température de fonctionnement: 0.0165 Ohms @ 28A. Type de montage: THT. Particularités: 52 ns. Information: 1696pF. MSL: 150W

Transistor canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 55V, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: TO220AB. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 64A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 130W. Type de montage: THT

Transistor canal N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 27 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.59V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: UltraFast CoPack IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG4BC30UD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 980pF. C (out): 71pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: transistor MOSFET de puissance jusqu'à 150 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG 4BC30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 920pF. C (out): 110pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 28A. Ic(puls): 58A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT ultra-rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.21V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Id (T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: ULTRA FAST. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG4PC30UD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. C (in): 2200pF. C (out): 140pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 49A. Ic(puls): 84A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Marquage sur le boîtier: G4PC40K. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2100pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.72V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1900pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 6050pF. C (out): 360pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: 'Fast Speed ​​IGBT'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 360A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 520W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1800pF. C (out): 120pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 82A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.43V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.1V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 3600pF. C (out): 160pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 850pF. C (out): 75pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 92 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 31A. Ic(puls): 62A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V