Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Id (T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: ULTRA FAST. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG4PC30UD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, TO-247AC. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 49A. Courant de collecteur maxi (A): 200A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 63 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Marquage sur le boîtier: G4PC40K. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2100pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.72V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1900pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 6050pF. C (out): 360pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: 'Fast Speed ​​IGBT'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 360A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 520W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1800pF. C (out): 120pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 82A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.43V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.1V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 3600pF. C (out): 160pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 850pF. C (out): 75pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 92 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 31A. Ic(puls): 62A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V

Transistor canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 144A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 2250pF. C (out): 110pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+140°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.29V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.57V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L1004S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6590pF. C (out): 1710pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 640A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 160A. Puissance: 200W

Transistor canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 40V, 140A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5080pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 790A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 100A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 360A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET