Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 36A, 140W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Boîtier (norme JEDEC): 140W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL540N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L540NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 69W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 0.4 Ohms, TO-220, 200V. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 200V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 9A. Puissance: 74W. Commande: niveau logique

Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMD-220, 200V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-220. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L640S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMD-220, 200V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-220. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L640S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 0.0038 Ohms, TO-220, 30V. Résistance passante Rds On: 0.0038 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 30V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 150A. Puissance: 140W. Commande: niveau logique

Transistor canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor canal N, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 243A. Id (T=25°C): 343A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 10315pF. C (out): 1980pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Entraînement de moteur à courant continu, commutation de puissance à grande vitesse. Spec info: commande par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor canal N, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. Id (T=100°C): 126A. Id (T=25°C): 179A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 720A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 270W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, SUPER-220, 30 v, 179A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SUPER-220. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLBA3803PPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 1.7A. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 740pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 80A. Idss (min): 2uA. Dissipation de puissance maxi: 39W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 93m Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 660pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Protection G-S: diode. Id(imp): 60A. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+170°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V