Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.68fr | 0.74fr |
3 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.61fr | 0.66fr |
10 - 19 | 0.58fr | 0.63fr |
20 - 49 | 0.55fr | 0.59fr |
50 - 95 | 0.47fr | 0.51fr |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.68fr | 0.74fr |
3 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.61fr | 0.66fr |
10 - 19 | 0.58fr | 0.63fr |
20 - 49 | 0.55fr | 0.59fr |
50 - 95 | 0.47fr | 0.51fr |
Transistor 2N4403BU. Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.
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