Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.62fr | 0.67fr |
10 - 24 | 0.59fr | 0.64fr |
25 - 49 | 0.56fr | 0.61fr |
50 - 99 | 0.54fr | 0.58fr |
100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
250 - 2070 | 0.47fr | 0.51fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.62fr | 0.67fr |
10 - 24 | 0.59fr | 0.64fr |
25 - 49 | 0.56fr | 0.61fr |
50 - 99 | 0.54fr | 0.58fr |
100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
250 - 2070 | 0.47fr | 0.51fr |
Transistor 2N5459. Transistor. C (in): 2250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 53 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Uni sym. Idss (maxi): 16mA. Idss (min): 4mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 4mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.
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