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Transistor MOSFET AP4506GEH

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Transistor MOSFET AP4506GEH. Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P). Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 09:25.

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