Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.11fr | 0.12fr |
10 - 24 | 0.11fr | 0.12fr |
25 - 49 | 0.10fr | 0.11fr |
50 - 99 | 0.0962fr | 0.1040fr |
100 - 249 | 0.0905fr | 0.0978fr |
250 - 499 | 0.0848fr | 0.0917fr |
500 - 3939 | 0.0792fr | 0.0856fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.11fr | 0.12fr |
10 - 24 | 0.11fr | 0.12fr |
25 - 49 | 0.10fr | 0.11fr |
50 - 99 | 0.0962fr | 0.1040fr |
100 - 249 | 0.0905fr | 0.0978fr |
250 - 499 | 0.0848fr | 0.0917fr |
500 - 3939 | 0.0792fr | 0.0856fr |
Transistor BC560CG. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Diode BE: transistor PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): TO-226AA. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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