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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor BD680

Transistor BD680
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Quantité HT TTC
1 - 9 0.44fr 0.48fr
10 - 24 0.42fr 0.45fr
25 - 49 0.40fr 0.43fr
50 - 99 0.37fr 0.40fr
100 - 249 0.34fr 0.37fr
250 - 377 0.34fr 0.37fr
Quantité U.P
1 - 9 0.44fr 0.48fr
10 - 24 0.42fr 0.45fr
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Lot de 1

Transistor BD680. Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Courant de collecteur: 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 1343
BD682

BD682

Transistor. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic ...
BD682
Transistor. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681
BD682
Transistor. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681
Lot de 1
0.55fr TTC
(0.51fr HT)
0.55fr
Quantité en stock : 4
BD680-DIV

BD680-DIV

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
BD680-DIV
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD680-DIV
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)
Lot de 1
0.42fr TTC
(0.39fr HT)
0.42fr

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