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Transistor BD680-DIV

Transistor BD680-DIV
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Transistor BD680-DIV. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.

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Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Courant de collecteur: 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui
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Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Courant de collecteur: 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui
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Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1
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Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1
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