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Transistor BUT11AF

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Transistor BUT11AF. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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