Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.73fr | 1.87fr |
5 - 9 | 1.64fr | 1.77fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.47fr | 1.59fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 160 | 1.40fr | 1.51fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.73fr | 1.87fr |
5 - 9 | 1.64fr | 1.77fr |
10 - 24 | 1.55fr | 1.68fr |
25 - 49 | 1.47fr | 1.59fr |
50 - 99 | 1.43fr | 1.55fr |
100 - 160 | 1.40fr | 1.51fr |
Transistor FQPF20N06L. Transistor. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. Id (T=100°C): 11.1A. Id (T=25°C): 15.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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