Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.28fr | 1.38fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 1618 | 1.04fr | 1.12fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.28fr | 1.38fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 1618 | 1.04fr | 1.12fr |
Transistor IRLR7843. Transistor. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.