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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50

Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50
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1 - 4 3.66fr 3.96fr
5 - 9 3.48fr 3.76fr
10 - 24 3.37fr 3.64fr
25 - 49 3.29fr 3.56fr
50 - 99 3.22fr 3.48fr
100 - 249 3.11fr 3.36fr
250+ 3.00fr 3.24fr
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Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50. Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 20:25.

Documentation technique

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FQP13N50C
Transistor canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 195W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
FQP13N50C
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