Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63fr | 0.68fr |
5 - 9 | 0.60fr | 0.65fr |
10 - 24 | 0.56fr | 0.61fr |
25 - 49 | 0.53fr | 0.57fr |
50 - 99 | 0.52fr | 0.56fr |
100 - 249 | 0.51fr | 0.55fr |
250+ | 0.48fr | 0.52fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63fr | 0.68fr |
5 - 9 | 0.60fr | 0.65fr |
10 - 24 | 0.56fr | 0.61fr |
25 - 49 | 0.53fr | 0.57fr |
50 - 99 | 0.52fr | 0.56fr |
100 - 249 | 0.51fr | 0.55fr |
250+ | 0.48fr | 0.52fr |
Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B. Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 3.3A. Résistance passante Rds On: 1.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: VGS @10V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 07:25.
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