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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A
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1 - 4 1.58fr 1.71fr
5 - 9 1.50fr 1.62fr
10 - 24 1.45fr 1.57fr
25 - 47 1.42fr 1.54fr
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Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A. Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 14:25.

Documentation technique

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