Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.66fr | 0.71fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 249 | 0.57fr | 0.62fr |
250 - 973 | 0.54fr | 0.58fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.66fr | 0.71fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 249 | 0.57fr | 0.62fr |
250 - 973 | 0.54fr | 0.58fr |
Transistor canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - RK7002. Transistor canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 115mA. Idss (maxi): 115mA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 25pF. C (out): 10pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Interface et commutation. Id(imp): 0.8A. Marquage sur le boîtier: RKM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.
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