Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.84fr | 6.31fr |
2 - 2 | 5.55fr | 6.00fr |
3 - 4 | 5.37fr | 5.80fr |
5 - 9 | 5.25fr | 5.68fr |
10 - 11 | 5.14fr | 5.56fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.84fr | 6.31fr |
2 - 2 | 5.55fr | 6.00fr |
3 - 4 | 5.37fr | 5.80fr |
5 - 9 | 5.25fr | 5.68fr |
10 - 11 | 5.14fr | 5.56fr |
Transistor MOSFET AP4506GEH. Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P). Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Produit d'origine constructeur Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 02/07/2025, 12:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.